Vishay Semiconductor Diodes Division - NS8ATHE3_A/P

KEY Part #: K6442313

NS8ATHE3_A/P Kainodara (USD) [3176vnt. sandėlyje]

  • 1,000 pcs$0.26162

Dalies numeris:
NS8ATHE3_A/P
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - JFET, Tiristoriai - SCR and Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NS8ATHE3_A/P electronic components. NS8ATHE3_A/P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NS8ATHE3_A/P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NS8ATHE3_A/P Produkto atributai

Dalies numeris : NS8ATHE3_A/P
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
Serija : Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena : Obsolete
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 50V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 8A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 8A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 50V
Talpa @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : TO-220-2
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220AC
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • RJU6052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

  • RJU4352SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

  • RJU3052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

  • CMDD6001 BK

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • MBR1660-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single

  • MBRB7H60HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO263AB.