RB521S30T1G Kainodara (USD) [2927118vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.01349
- 3,000 pcs$0.01342
- 6,000 pcs$0.01211
- 15,000 pcs$0.01053
- 30,000 pcs$0.00948
- 75,000 pcs$0.00842
- 150,000 pcs$0.00700
- Dalies numeris:
- RB521S30T1G
- Gamintojas:
- ON Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523. Schottky Diodes & Rectifiers 30V 200mW Single
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Diodai - RF and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in ON Semiconductor RB521S30T1G electronic components. RB521S30T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RB521S30T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RB521S30T1G Produkto atributai
Dalies numeris :
RB521S30T1G
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
30V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
200mA (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
500mV @ 200mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
30µA @ 10V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SC-79, SOD-523
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOD-523
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 125°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE30AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
Karštos dalys
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G