GeneSiC Semiconductor - MURTA20020

KEY Part #: K6468487

Išsamus aprašymas:: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER. Rectifiers 200V 200A Si Super Fast Recovery

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - JFET, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA20020 electronic components. MURTA20020 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA20020, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : MURTA20020

Gamintojas : GeneSiC Semiconductor

apibūdinimas : DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Serija : -

Dalies būsena : Active

Diodo konfigūracija : 1 Pair Common Cathode

Diodo tipas : Standard

Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 200V

Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) (vienam diodui) : 100A

Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.3V @ 100A

Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Atbulinės eigos laikas (trr) : -

Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 25µA @ 200V

Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Montavimo tipas : Chassis Mount

Pakuotė / Byla : Three Tower

Tiekėjo įrenginio paketas : Three Tower

Galbūt jus taip pat domina

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.