[1934vnt. sandėlyje]
- Dalies numeris:
- BY229B-600HE3/45
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Diodai - tiltiniai lygintuvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BY229B-600HE3/45 electronic components. BY229B-600HE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BY229B-600HE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BY229B-600HE3/45 Produkto atributai
Dalies numeris :
BY229B-600HE3/45
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Serija :
-
Dalies būsena :
Obsolete
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
8A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.85V @ 20A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
145ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-263AB
Darbinė temperatūra - sankryža :
-40°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-8EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns
-
VS-6EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns
-
VS-8EWF12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-15EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns
-
VS-8EWS08STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH
Karštos dalys
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97