Vishay Siliconix - SIHH27N60EF-T1-GE3

KEY Part #: K6417025

SIHH27N60EF-T1-GE3 Kainodara (USD) [23347vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.76519

Dalies numeris:
SIHH27N60EF-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Galios tvarkyklės moduliai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas and Diodai - lygintuvai - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH27N60EF-T1-GE3 electronic components. SIHH27N60EF-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH27N60EF-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH27N60EF-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIHH27N60EF-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8
Serija : E
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 29A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 100 mOhm @ 13.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 135nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2609pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 202W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® 8 x 8
Pakuotė / Byla : 8-PowerTDFN

Galbūt jus taip pat domina
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.