CRG05(TE85L,Q,M) Kainodara (USD) [944660vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.03915
- Dalies numeris:
- CRG05(TE85L,Q,M)
- Gamintojas:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT. Rectifiers 800V Vrrm 1.0A IF 50Hz 1.2V Vfm REC
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CRG05(TE85L,Q,M) electronic components. CRG05(TE85L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CRG05(TE85L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CRG05(TE85L,Q,M) Produkto atributai
Dalies numeris :
CRG05(TE85L,Q,M)
Gamintojas :
Toshiba Semiconductor and Storage
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
800V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.2V @ 1A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 800V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SOD-123F
Tiekėjo įrenginio paketas :
S-FLAT (1.6x3.5)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-40°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
-
Karštos dalys
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08