Taiwan Semiconductor Corporation - SK810C M6G

KEY Part #: K6457047

SK810C M6G Kainodara (USD) [322487vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.11469

Dalies numeris:
SK810C M6G
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - RF, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF and Diodai - lygintuvai - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SK810C M6G electronic components. SK810C M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SK810C M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SK810C M6G Produkto atributai

Dalies numeris : SK810C M6G
Gamintojas : Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas : DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB
Serija : -
Dalies būsena : Not For New Designs
Diodo tipas : Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 8A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 900mV @ 8A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 500µA @ 100V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-214AB, SMC
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-214AB (SMC)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVH06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED