Dalies numeris :
APTM100H18FG
Gamintojas :
Microsemi Corporation
apibūdinimas :
MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
FET tipas :
4 N-Channel (H-Bridge)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
1000V (1kV)
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
43A
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
210 mOhm @ 21.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
5V @ 5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
372nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
10400pF @ 25V
Darbinė temperatūra :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
SP6