Vishay Siliconix - SI4909DY-T1-GE3

KEY Part #: K6522941

SI4909DY-T1-GE3 Kainodara (USD) [190084vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.19459
  • 2,500 pcs$0.18272

Dalies numeris:
SI4909DY-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Diodai - Zener - masyvai and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SI4909DY-T1-GE3 electronic components. SI4909DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4909DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4909DY-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SI4909DY-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : 2 P-Channel (Dual)
FET funkcija : Logic Level Gate
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 40V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 8A
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 27 mOhm @ 8A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 63nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2000pF @ 20V
Galia - maks : 3.2W
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginio paketas : 8-SO

Galbūt jus taip pat domina
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.