Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP10DE-E3/54

KEY Part #: K6457782

EGP10DE-E3/54 Kainodara (USD) [682537vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.05719
  • 5,500 pcs$0.05690

Dalies numeris:
EGP10DE-E3/54
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL. Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - RF and Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP10DE-E3/54 electronic components. EGP10DE-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP10DE-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP10DE-E3/54 Produkto atributai

Dalies numeris : EGP10DE-E3/54
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Serija : SUPERECTIFIER®
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 950mV @ 1A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 50ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 200V
Talpa @ Vr, F : 22pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : DO-204AL, DO-41, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-204AL (DO-41)
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM07-400-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • EGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns

  • BYM07-150-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated