Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. JAN1N5806URS

Microsemi Corporation - JAN1N5806URS

KEY Part #: K6438271

JAN1N5806URS Kainodara (USD) [4311vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$10.09932
  • 100 pcs$10.04907
Dalies numeris:
JAN1N5806URS
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 150V 1A APKG. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tiristoriai - TRIAC and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5806URS electronic components. JAN1N5806URS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5806URS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5806URS Produkto atributai

Dalies numeris : JAN1N5806URS
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 150V 1A APKG
Serija : Military, MIL-PRF-19500/477
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 150V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 875mV @ 1A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 25ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 1µA @ 150V
Talpa @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : SQ-MELF, A
Tiekėjo įrenginio paketas : A-MELF
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Naujausios naujienos

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Galbūt jus taip pat domina
  • SE20FGHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • SE15FJHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • SE15FJ-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • SE15FG-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • SE15FD-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,200V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • SE20FJHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT

Karštos dalys