Dalies numeris :
SI4464DY-T1-E3
Gamintojas :
Vishay Siliconix
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
200V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
1.7A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
6V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
240 mOhm @ 2.2A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
18nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
-
Galios išsklaidymas (maks.) :
1.5W (Ta)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
8-SO
Pakuotė / Byla :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)