Dalies numeris :
MBRT200200R
Gamintojas :
GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Diodo konfigūracija :
1 Pair Common Anode
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) (vienam diodui) :
100A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
920mV @ 100A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1mA @ 200V
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Montavimo tipas :
Chassis Mount
Pakuotė / Byla :
Three Tower
Tiekėjo įrenginio paketas :
Three Tower