Dalies numeris :
SQJ464EP-T1_GE3
Gamintojas :
Vishay Siliconix
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
60V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
32A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
17 mOhm @ 7.1A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
44nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
2086pF @ 30V
Galios išsklaidymas (maks.) :
45W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla :
PowerPAK® SO-8