Alliance Memory, Inc. - AS4C16M16D1-5BCN

KEY Part #: K939724

AS4C16M16D1-5BCN Kainodara (USD) [26323vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.74077
  • 10 pcs$1.57771
  • 25 pcs$1.54351
  • 50 pcs$1.53496
  • 100 pcs$1.37653
  • 250 pcs$1.37141
  • 500 pcs$1.32090
  • 1,000 pcs$1.25584

Dalies numeris:
AS4C16M16D1-5BCN
Gamintojas:
Alliance Memory, Inc.
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Linijiniai - stiprintuvai - specialios paskirties, Atmintis, Įterptasis - PLD (programuojamas loginis įrenginys, Duomenų rinkimas - skaitmeninis ir analoginis keit, Sąsaja - analoginiai jungikliai, multiplekseriai, , Logika - vertėjai, lygio keitikliai, Atmintis - valdikliai and Linijiniai - komparatoriai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BCN electronic components. AS4C16M16D1-5BCN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C16M16D1-5BCN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M16D1-5BCN Produkto atributai

Dalies numeris : AS4C16M16D1-5BCN
Gamintojas : Alliance Memory, Inc.
apibūdinimas : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - DDR
Atminties dydis : 256Mb (16M x 16)
Laikrodžio dažnis : 200MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 700ps
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 2.3V ~ 2.7V
Darbinė temperatūra : 0°C ~ 70°C (TA)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 60-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 60-TFBGA (8x13)

Galbūt jus taip pat domina
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM