Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. CDBJSC101700-G

Comchip Technology - CDBJSC101700-G

KEY Part #: K6431474

CDBJSC101700-G Kainodara (USD) [2811vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$15.40472
Dalies numeris:
CDBJSC101700-G
Gamintojas:
Comchip Technology
Išsamus aprašymas:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 1700V
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Comchip Technology CDBJSC101700-G electronic components. CDBJSC101700-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBJSC101700-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJSC101700-G Produkto atributai

Dalies numeris : CDBJSC101700-G
Gamintojas : Comchip Technology
apibūdinimas : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Silicon Carbide Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1700V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 35A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.7V @ 10A
Greitis : No Recovery Time > 500mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 0ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 100µA @ 1700V
Talpa @ Vr, F : 1400pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : TO-220-2
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220-2
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 175°C

Naujausios naujienos

Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Galbūt jus taip pat domina
  • 1SS307(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 30V 3 pins, S-Mini 0.1A

  • SB220-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM

  • SS10PH10HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 100V SM Schottky Rect

  • VS-6ESU06HM3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Ultrafst Rct 6A 600V AEC-Q101

  • V10PN50-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 5.3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,50V,TRENCH SKY RECT.

  • V8P8HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 80V, SMPC AEC-Q101 Qualified

Karštos dalys