Vishay Siliconix - SI4632DY-T1-GE3

KEY Part #: K6397597

SI4632DY-T1-GE3 Kainodara (USD) [73229vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.53663
  • 2,500 pcs$0.53396

Dalies numeris:
SI4632DY-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Galios tvarkyklės moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SI4632DY-T1-GE3 electronic components. SI4632DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4632DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4632DY-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SI4632DY-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 25V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 40A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 2.7 mOhm @ 20A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.6V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 161nC @ 10V
VG (maks.) : ±16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 11175pF @ 15V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : 8-SO
Pakuotė / Byla : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Galbūt jus taip pat domina
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.