Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis

Atmintis

Vaizdas PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas Aprašymas / PDF Kiekis / RFQ

THGBMHG6C1LBAU6

Toshiba Memory America, Inc.

8GB NAND 15NM EMBEDDED MULTIMEDI. eMMC 8GB 15nm A-Temp eMMC (EEPROM)

10299vnt. sandėlyje
THGBMHG7C1LBAIL

THGBMHG7C1LBAIL

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 128G MMC 153WFBGA. eMMC 16GB 15nm eMMC (EEPROM)

10455vnt. sandėlyje
TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

10841vnt. sandėlyje
TH58NYG3S0HBAI4

TH58NYG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

10841vnt. sandėlyje
TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

11073vnt. sandėlyje
TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

11073vnt. sandėlyje
TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

11073vnt. sandėlyje

TH58NVG3S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V. NAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

11073vnt. sandėlyje
THGBMHG6C1LBAIL

THGBMHG6C1LBAIL

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA. eMMC 8GB 15nm eMMC (EEPROM)

11438vnt. sandėlyje
TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

13416vnt. sandėlyje
TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4G SLC NAND BGA 24NM. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

13416vnt. sandėlyje
TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

13416vnt. sandėlyje

TC58CYG2S0HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm Serial NAND

13863vnt. sandėlyje
THGBMNG5D1LBAIT

THGBMNG5D1LBAIT

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA.

15336vnt. sandėlyje
THGBMNG5D1LBAIL

THGBMNG5D1LBAIL

Toshiba Memory America, Inc.

4GB NAND 15NM EMBEDDED MULTIMEDI.

15336vnt. sandėlyje

TC58CYG1S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm Serial NAND

15801vnt. sandėlyje

TC58CVG1S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm Serial NAND

15801vnt. sandėlyje
TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

15996vnt. sandėlyje
TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)

16322vnt. sandėlyje
TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

16322vnt. sandėlyje

Klasifikavimo puslapiai