| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Toshiba Memory America, Inc. |
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
16322vnt. sandėlyje |
 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
16879vnt. sandėlyje |
 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
16879vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
16879vnt. sandėlyje |
 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm Serial NAND |
16879vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
19471vnt. sandėlyje |
 |
Toshiba Memory America, Inc. |
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
19471vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) |
19471vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
19471vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
19471vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
19544vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
2G NAND SLC 24NM BGA. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
19544vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) |
19544vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm Serial NAND |
20073vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
20269vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
20269vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
20269vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
20269vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
20269vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) |
24757vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
success