Atmintis

Vaizdas PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas Aprašymas / PDF Kiekis / RFQ

TH58NVG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

16322vnt. sandėlyje

TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

16879vnt. sandėlyje

TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

16879vnt. sandėlyje

TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

16879vnt. sandėlyje

TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm Serial NAND

16879vnt. sandėlyje

TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

19471vnt. sandėlyje

TC58BYG2S0HBAI4

TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

19471vnt. sandėlyje

TC58NVG2S0HTAI0

TC58NVG2S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)

19471vnt. sandėlyje

TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

19471vnt. sandėlyje

TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

19471vnt. sandėlyje

TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

19544vnt. sandėlyje

TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

2G NAND SLC 24NM BGA. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

19544vnt. sandėlyje

TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)

19544vnt. sandėlyje

TC58CYG0S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm Serial NAND

20073vnt. sandėlyje

TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

20269vnt. sandėlyje

TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

20269vnt. sandėlyje

TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

20269vnt. sandėlyje

TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

20269vnt. sandėlyje

TC58NVG2S0HTA00

TC58NVG2S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

20269vnt. sandėlyje

TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)

24757vnt. sandėlyje