Winbond Electronics Gamintojas, Sandėlyje Winbond Electronics Produktai

PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas	Aprašymas / PDF	Kiekis / RFQ
W631GU6MB-12 TR Winbond Electronics	IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 800MHzT&R	47088vnt. sandėlyje
W631GG6MB-12 TR Winbond Electronics	IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 800MHzT&R	47088vnt. sandėlyje
W631GG6MB-11 TR Winbond Electronics	IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 933MHz,T&R	47088vnt. sandėlyje
W631GU6MB-11 TR Winbond Electronics	IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz,T&R	47088vnt. sandėlyje
W9425G6KH-5I Winbond Electronics	IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M DDR SDRAM x16, 200Mhz, Ind temp	47109vnt. sandėlyje
W987D2HBJX6E TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mSDR, x32, 166MHz T&R	47612vnt. sandėlyje
W947D2HBJX6E TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 166MHz, 65nm T&R	47612vnt. sandėlyje
W987D2HBJX6I TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp T&R	47612vnt. sandėlyje
W987D2HBJX7E TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm T&R	47612vnt. sandėlyje
W947D2HBJX5E TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 200MHz T&R	47612vnt. sandėlyje
W947D2HBJX5I TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp T&R	47612vnt. sandėlyje
W9751G8KB25I Winbond Electronics	IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA. DRAM 512M DDR2-800, x8 Ind Temp	47882vnt. sandėlyje
W9425G6KH-5 Winbond Electronics	IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M DDR SDRAM x16, 200Mhz, 65nm	48363vnt. sandėlyje
W9816G6JB-6I Winbond Electronics	IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 16M, SDR SDRAM, 166MHz, Ind temp	48691vnt. sandėlyje
W947D6HBHX6E TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 166MHz, 65nm T&R	49022vnt. sandėlyje
W987D6HBGX6E TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz T&R	49022vnt. sandėlyje
W987D6HBGX7E TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R	49022vnt. sandėlyje
W947D6HBHX5E TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 200MHz T&R	49022vnt. sandėlyje
W947D6HBHX5I TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp T&R	49022vnt. sandėlyje
W987D6HBGX6I TR Winbond Electronics	IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R	49022vnt. sandėlyje

Atmintis

Klasifikavimo puslapiai