Infineon Technologies - IRF1010NPBF

KEY Part #: K6393032

IRF1010NPBF Kainodara (USD) [55666vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.74422
  • 10 pcs$0.65851
  • 100 pcs$0.52058
  • 500 pcs$0.40371
  • 1,000 pcs$0.30149

Dalies numeris:
IRF1010NPBF
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - RF, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - lygintuvai - masyvai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Galios tvarkyklės moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IRF1010NPBF electronic components. IRF1010NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF1010NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF1010NPBF Produkto atributai

Dalies numeris : IRF1010NPBF
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
Serija : HEXFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 55V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 85A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 11 mOhm @ 43A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 120nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 3210pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 180W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220AB
Pakuotė / Byla : TO-220-3