US1J-E3/5AT Kainodara (USD) [885871vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.04175
- 7,500 pcs$0.03508
- 15,000 pcs$0.03199
- 37,500 pcs$0.02993
- 52,500 pcs$0.02752
- Dalies numeris:
- US1J-E3/5AT
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC. Rectifiers 600 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - specialios paskirties and Diodai - Zener - masyvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division US1J-E3/5AT electronic components. US1J-E3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1J-E3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
US1J-E3/5AT Produkto atributai
Dalies numeris :
US1J-E3/5AT
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.7V @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
75ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-214AC, SMA
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-214AC (SMA)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Karštos dalys
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54