Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP10JE-E3/54

KEY Part #: K6458252

RGP10JE-E3/54 Kainodara (USD) [1010386vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.03661
  • 11,000 pcs$0.03347

Dalies numeris:
RGP10JE-E3/54
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0A 600 Volt 250ns
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tiristoriai - SCR - moduliai and Tranzistoriai - specialios paskirties ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10JE-E3/54 electronic components. RGP10JE-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP10JE-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP10JE-E3/54 Produkto atributai

Dalies numeris : RGP10JE-E3/54
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Serija : SUPERECTIFIER®
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.3V @ 1A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 250ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 600V
Talpa @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : DO-204AL, DO-41, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-204AL (DO-41)
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • U1C-E3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM