Littelfuse Inc. - MG12105S-BA1MM

KEY Part #: K6532568

MG12105S-BA1MM Kainodara (USD) [1145vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$35.02085
  • 10 pcs$32.89708
  • 25 pcs$31.41118
  • 100 pcs$29.71328

Dalies numeris:
MG12105S-BA1MM
Gamintojas:
Littelfuse Inc.
Išsamus aprašymas:
IGBT 1200V 150A 690W PKG S.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Littelfuse Inc. MG12105S-BA1MM electronic components. MG12105S-BA1MM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MG12105S-BA1MM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MG12105S-BA1MM Produkto atributai

Dalies numeris : MG12105S-BA1MM
Gamintojas : Littelfuse Inc.
apibūdinimas : IGBT 1200V 150A 690W PKG S
Serija : -
Dalies būsena : Active
IGBT tipas : -
Konfigūracija : Half Bridge
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : 1200V
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : 150A
Galia - maks : 690W
Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic : 1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) : 500µA
Įvesties talpa (Cies) @ Vce : 7.43nF @ 25V
Įvestis : Standard
NTC termistorius : No
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : S-3 Module
Tiekėjo įrenginio paketas : S3

Galbūt jus taip pat domina
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.