Vishay Siliconix - SI7190DP-T1-GE3

KEY Part #: K6411783

SI7190DP-T1-GE3 Kainodara (USD) [89398vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.96999
  • 10 pcs$0.87550
  • 100 pcs$0.70345
  • 500 pcs$0.54713
  • 1,000 pcs$0.45334

Dalies numeris:
SI7190DP-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - SCR and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SI7190DP-T1-GE3 electronic components. SI7190DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7190DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7190DP-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SI7190DP-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 250V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 18.4A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 6V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 118 mOhm @ 4.4A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 72nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2214pF @ 125V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla : PowerPAK® SO-8

Galbūt jus taip pat domina
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.