QH12TZ600 Kainodara (USD) [30865vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$1.38820
- 10 pcs$1.23793
- 25 pcs$1.05696
- 100 pcs$0.96297
- 250 pcs$0.86901
- 500 pcs$0.77976
- 1,000 pcs$0.65763
- 2,500 pcs$0.62631
- Dalies numeris:
- QH12TZ600
- Gamintojas:
- Power Integrations
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching H-Series 600V 12A Super-Low Qrr
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks and Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Power Integrations QH12TZ600 electronic components. QH12TZ600 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QH12TZ600, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
QH12TZ600 Produkto atributai
Dalies numeris :
QH12TZ600
Gamintojas :
Power Integrations
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
Serija :
Qspeed™
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
12A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
3.1V @ 12A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
11.6ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
250µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
TO-220-2
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-220AC
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-15EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns
-
VS-8EWS08STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
-
VBT4045BP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40A 45V TrenchMOS
-
-
Karštos dalys
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54