Dalies numeris :
RN2102ACT(TPL3)
Gamintojas :
Toshiba Semiconductor and Storage
apibūdinimas :
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Tranzistoriaus tipas :
PNP - Pre-Biased
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) :
80mA
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) :
50V
Rezistorius - bazė (R1) :
10 kOhms
Rezistorius - emiterio bazė (R2) :
10 kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
50 @ 10mA, 5V
Vce sodrumas (maks.) @ Ib, Ic :
150mV @ 250µA, 5mA
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) :
500nA
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SC-101, SOT-883
Tiekėjo įrenginio paketas :
CST3