Vishay Siliconix - SIE812DF-T1-GE3

KEY Part #: K6418103

SIE812DF-T1-GE3 Kainodara (USD) [51551vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.76228
  • 3,000 pcs$0.75848

Dalies numeris:
SIE812DF-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Tiristoriai - SCR ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIE812DF-T1-GE3 electronic components. SIE812DF-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIE812DF-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIE812DF-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIE812DF-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 40V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 60A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 2.6 mOhm @ 25A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 170nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 8300pF @ 20V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : 10-PolarPAK® (L)
Pakuotė / Byla : 10-PolarPAK® (L)

Galbūt jus taip pat domina
  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • IRFI3306GPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A TO220.

  • SPA16N50C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP.

  • IPA60R299CPXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • TK6A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS.