Vishay Semiconductor Diodes Division - UF5406-E3/54

KEY Part #: K6448417

UF5406-E3/54 Kainodara (USD) [392353vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.10472
  • 1,400 pcs$0.10420
  • 2,800 pcs$0.09501
  • 7,000 pcs$0.08888
  • 9,800 pcs$0.08275

Dalies numeris:
UF5406-E3/54
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD. Rectifiers Vr/600V Io/3A
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Diodai - „Zener“ - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UF5406-E3/54 electronic components. UF5406-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UF5406-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UF5406-E3/54 Produkto atributai

Dalies numeris : UF5406-E3/54
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.7V @ 3A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 75ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 600V
Talpa @ Vr, F : 36pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : DO-201AD, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-201AD
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • DGS17-03CS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 300V 29A TO252AA.

  • MMBD914_D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • MMBD1401_D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

  • GL41T-E3/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB.

  • VFT2045BP-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A ITO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V TrenchMOS

  • CUS02(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 1.0A IF 20A 0.45V VFM