Dalies numeris :
DMT8012LPS-13
Gamintojas :
Diodes Incorporated
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
80V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
9A (Ta), 65A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
17 mOhm @ 12A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
34nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
1949pF @ 40V
Galios išsklaidymas (maks.) :
2.1W (Ta), 113W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
PowerDI5060-8
Pakuotė / Byla :
8-PowerTDFN