BAS116TT1G Kainodara (USD) [1922330vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.01987
- 3,000 pcs$0.01977
- 6,000 pcs$0.01719
- 15,000 pcs$0.01461
- 30,000 pcs$0.01376
- 75,000 pcs$0.01289
- 150,000 pcs$0.01146
- Dalies numeris:
- BAS116TT1G
- Gamintojas:
- ON Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA SC75. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SC75 SWCH DIO 75V TR
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in ON Semiconductor BAS116TT1G electronic components. BAS116TT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116TT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116TT1G Produkto atributai
Dalies numeris :
BAS116TT1G
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 75V 200MA SC75
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
75V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
200mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.25V @ 150mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
3µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5nA @ 75V
Talpa @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SC-75, SOT-416
Tiekėjo įrenginio paketas :
SC-75, SOT-416
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAS16-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
Karštos dalys
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18