Infineon Technologies - IRL530NSTRRPBF

KEY Part #: K6420000

IRL530NSTRRPBF Kainodara (USD) [150636vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.24554
  • 800 pcs$0.23572

Dalies numeris:
IRL530NSTRRPBF
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IRL530NSTRRPBF electronic components. IRL530NSTRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL530NSTRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL530NSTRRPBF Produkto atributai

Dalies numeris : IRL530NSTRRPBF
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Serija : HEXFET®
Dalies būsena : Not For New Designs
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 100V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 17A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 100 mOhm @ 9A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 34nC @ 5V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 800pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : D2PAK
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina