Infineon Technologies - IPP120N20NFDAKSA1

KEY Part #: K6400456

IPP120N20NFDAKSA1 Kainodara (USD) [13227vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.99235
  • 10 pcs$2.67152
  • 100 pcs$2.19076
  • 500 pcs$1.77400
  • 1,000 pcs$1.49615

Dalies numeris:
IPP120N20NFDAKSA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 84A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - RF, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IPP120N20NFDAKSA1 electronic components. IPP120N20NFDAKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP120N20NFDAKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP120N20NFDAKSA1 Produkto atributai

Dalies numeris : IPP120N20NFDAKSA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 200V 84A TO220
Serija : OptiMOS™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 200V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 84A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 12 mOhm @ 84A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 270µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 87nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 6650pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 300W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : PG-TO220-3
Pakuotė / Byla : TO-220-3