Dalies numeris :
TPN14006NH,L1Q
Gamintojas :
Toshiba Semiconductor and Storage
apibūdinimas :
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
60V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
13A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
6.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
14 mOhm @ 6.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
4V @ 200µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
15nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
1300pF @ 30V
Galios išsklaidymas (maks.) :
700mW (Ta), 30W (Tc)
Darbinė temperatūra :
150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pakuotė / Byla :
8-PowerVDFN