1N4448HWT-7 Kainodara (USD) [1631281vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.02413
- 3,000 pcs$0.02401
- 6,000 pcs$0.02088
- 15,000 pcs$0.01775
- 30,000 pcs$0.01671
- 75,000 pcs$0.01566
- Dalies numeris:
- 1N4448HWT-7
- Gamintojas:
- Diodes Incorporated
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Vrm 80 Vrrm 57v Rms 250mA IFM
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - SCR, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - lygintuvai - viengubi, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Diodai - Zener - masyvai and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N4448HWT-7 electronic components. 1N4448HWT-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4448HWT-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4448HWT-7 Produkto atributai
Dalies numeris :
1N4448HWT-7
Gamintojas :
Diodes Incorporated
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
80V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
125mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1V @ 100mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
4ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
100nA @ 80V
Talpa @ Vr, F :
3pF @ 0.5V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SC-79, SOD-523
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOD-523
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BYT79B-600PJ
WeEn Semiconductors
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers BYT79B-600PJ/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
-
1N914B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array
-
BAV21 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
C5D10170H
Cree/Wolfspeed
10A 1700V G5 ZREC SIC SCHOTTKY. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A
-
SMMBD330T1G
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70. Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
-
NSVBAS16WT3G
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 75V TR
Karštos dalys
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08