Microsemi Corporation - APTM10DAM05TG

KEY Part #: K6396599

APTM10DAM05TG Kainodara (USD) [1519vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$28.63728
  • 100 pcs$28.49480

Dalies numeris:
APTM10DAM05TG
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 278A SP4.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) and Tiristoriai - SCR ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APTM10DAM05TG electronic components. APTM10DAM05TG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10DAM05TG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10DAM05TG Produkto atributai

Dalies numeris : APTM10DAM05TG
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : MOSFET N-CH 100V 278A SP4
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 100V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 278A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 5 mOhm @ 125A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 700nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 20000pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 780W (Tc)
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Chassis Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : SP4
Pakuotė / Byla : SP4

Galbūt jus taip pat domina
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.