Vishay Siliconix - SQ2315ES-T1_GE3

KEY Part #: K6416947

SQ2315ES-T1_GE3 Kainodara (USD) [431769vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.22939
  • 10 pcs$0.19340
  • 100 pcs$0.14519
  • 500 pcs$0.10647
  • 1,000 pcs$0.08227

Dalies numeris:
SQ2315ES-T1_GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET P-CHAN 12V SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SQ2315ES-T1_GE3 electronic components. SQ2315ES-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ2315ES-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ2315ES-T1_GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SQ2315ES-T1_GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET P-CHAN 12V SOT23
Serija : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : P-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 12V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 5A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 1.8V, 4.5V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 50 mOhm @ 3.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
VG (maks.) : ±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 870pF @ 4V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 2W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : SOT-23-3 (TO-236)
Pakuotė / Byla : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Galbūt jus taip pat domina
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.