Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. 1N5621US

Microsemi Corporation - 1N5621US

KEY Part #: K6426900

1N5621US Kainodara (USD) [6962vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$6.24560
  • 100 pcs$6.21453
Dalies numeris:
1N5621US
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 800V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5621US electronic components. 1N5621US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5621US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5621US Produkto atributai

Dalies numeris : 1N5621US
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 800V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.6V @ 3A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 300ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 500nA @ 800V
Talpa @ Vr, F : 20pF @ 12V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : SQ-MELF, A
Tiekėjo įrenginio paketas : D-5A
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Naujausios naujienos

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Galbūt jus taip pat domina
  • V20PWM45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • VF20120SG-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A 120V ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20A,120V,TRENCH SKY RECT.

  • VFT1080S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 80V ITO-220AB. Rectifiers 10A,80V,TRENCH SKY RECT.

  • S2G-M3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GPP 1.5A 400V DO-214AA. Rectifiers 1.5A, 400V, GPP, VGSC-STD, SM, RECT

  • SB2K-M3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA. Rectifiers 2A, 800V, GPP, STD, SM, RECT

  • SS2H9-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 90 Volt 2.0 Amp 75 Amp IFSM

Karštos dalys