S2B Kainodara (USD) [1077683vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.03589
- 3,000 pcs$0.03571
- 6,000 pcs$0.03214
- 15,000 pcs$0.02857
- 30,000 pcs$0.02679
- 75,000 pcs$0.02381
- Dalies numeris:
- S2B
- Gamintojas:
- ON Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 100V 1.5a Rectifier Glass Passivated
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in ON Semiconductor S2B electronic components. S2B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S2B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S2B Produkto atributai
Dalies numeris :
S2B
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
2A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.15V @ 2A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
2µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 100V
Talpa @ Vr, F :
30pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-214AA, SMB
Tiekėjo įrenginio paketas :
SMB (DO-214AA)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
VS-50WQ04FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
SD103AW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM
-
SD103BW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM
Karštos dalys
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97