Vishay Siliconix - IRFPG30PBF

KEY Part #: K6398849

IRFPG30PBF Kainodara (USD) [27999vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.41905
  • 10 pcs$1.28288
  • 100 pcs$0.97789
  • 500 pcs$0.76057
  • 1,000 pcs$0.63019

Dalies numeris:
IRFPG30PBF
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - JFET, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix IRFPG30PBF electronic components. IRFPG30PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFPG30PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFPG30PBF Produkto atributai

Dalies numeris : IRFPG30PBF
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 1000V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 3.1A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 5 Ohm @ 1.9A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 80nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 980pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 125W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-247-3
Pakuotė / Byla : TO-247-3

Galbūt jus taip pat domina
  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • R5021ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 21A TO220.

  • IPA032N06N3GXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31.