Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N3611GP-E3/54

KEY Part #: K6458313

1N3611GP-E3/54 Kainodara (USD) [1076814vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.03435
  • 5,500 pcs$0.03177
  • 11,000 pcs$0.02897
  • 27,500 pcs$0.02710
  • 55,000 pcs$0.02492

Dalies numeris:
1N3611GP-E3/54
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - specialios paskirties and Diodai - Zener - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N3611GP-E3/54 electronic components. 1N3611GP-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3611GP-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3611GP-E3/54 Produkto atributai

Dalies numeris : 1N3611GP-E3/54
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Serija : SUPERECTIFIER®
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1V @ 1A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 2µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 1µA @ 200V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : DO-204AL, DO-41, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-204AL (DO-41)
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • BAS70-00-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in