Vishay Semiconductor Diodes Division - SE20AFG-M3/6B

KEY Part #: K6458251

SE20AFG-M3/6B Kainodara (USD) [1006146vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.03879
  • 14,000 pcs$0.03860

Dalies numeris:
SE20AFG-M3/6B
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE20AFG-M3/6B electronic components. SE20AFG-M3/6B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE20AFG-M3/6B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE20AFG-M3/6B Produkto atributai

Dalies numeris : SE20AFG-M3/6B
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC
Serija : Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 400V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1.3A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 2A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 1.2µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 400V
Talpa @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-221AC, SMA Flat Leads
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-221AC (SlimSMA)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • U1C-E3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM