BYM10-400-E3/96 Kainodara (USD) [867544vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.04263
- 1,500 pcs$0.04070
- 3,000 pcs$0.03663
- 7,500 pcs$0.03459
- 10,500 pcs$0.03154
- 37,500 pcs$0.02950
- Dalies numeris:
- BYM10-400-E3/96
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - JFET and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-400-E3/96 electronic components. BYM10-400-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM10-400-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYM10-400-E3/96 Produkto atributai
Dalies numeris :
BYM10-400-E3/96
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Serija :
SUPERECTIFIER®
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
400V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.1V @ 1A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 400V
Talpa @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-213AB, MELF (Glass)
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-213AB
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAS16-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDSH-4E TR
Central Semiconductor Corp
DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers Enh Spec Schottky 40Vrrm 200mA 250mW
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
Karštos dalys
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G