Dalies numeris :
SIB422EDK-T1-GE3
Gamintojas :
Vishay Siliconix
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
20V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
9A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
1.5V, 4.5V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
30 mOhm @ 5A, 4.5V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
18nC @ 8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
-
Galios išsklaidymas (maks.) :
2.5W (Ta), 13W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Pakuotė / Byla :
PowerPAK® SC-75-6L