Vishay Semiconductor Diodes Division - BYW29-200HE3/45

KEY Part #: K6445879

BYW29-200HE3/45 Kainodara (USD) [1956vnt. sandėlyje]

  • 1,000 pcs$0.21802

Dalies numeris:
BYW29-200HE3/45
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - viengubi, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - RF and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYW29-200HE3/45 electronic components. BYW29-200HE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYW29-200HE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYW29-200HE3/45 Produkto atributai

Dalies numeris : BYW29-200HE3/45
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Serija : -
Dalies būsena : Obsolete
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 8A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.3V @ 20A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 25ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 200V
Talpa @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : TO-220-2
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220AC
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • VS-8EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns

  • VS-6EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns

  • VS-8EWF12STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-15EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns

  • VS-8EWS08STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • MBR1645HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AB.