Vishay Siliconix - SIHB30N60AEL-GE3

KEY Part #: K6397542

SIHB30N60AEL-GE3 Kainodara (USD) [26157vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.57559

Dalies numeris:
SIHB30N60AEL-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CHAN 600V D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - SCR - moduliai and Diodai - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB30N60AEL-GE3 electronic components. SIHB30N60AEL-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB30N60AEL-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB30N60AEL-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIHB30N60AEL-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CHAN 600V D2PAK
Serija : EL
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 28A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 120 mOhm @ 15A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 120nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2565pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 250W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-263 (D²Pak)
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina
  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.

  • FCD7N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD2250N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.