BYG10MHE3_A/H Kainodara (USD) [597046vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.06195
- Dalies numeris:
- BYG10MHE3_A/H
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A,1000V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - tiltiniai lygintuvai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Diodai - lygintuvai - viengubi ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10MHE3_A/H electronic components. BYG10MHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10MHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10MHE3_A/H Produkto atributai
Dalies numeris :
BYG10MHE3_A/H
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Serija :
Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Avalanche
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
1000V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1.5A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.15V @ 1.5A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
4µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 1000V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-214AC, SMA
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-214AC (SMA)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
-
BYG22D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD
-
BYG22B-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt
-
BYG10G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5A,400V VGSC-STD Avalanche SMD
-
BYG10J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD
-
BYG10M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V VGSC-STD Avalanche SMD
Karštos dalys
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF