GeneSiC Semiconductor - S25B

KEY Part #: K6425051

Išsamus aprašymas:: DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA. Rectifiers 100V 25A Std. Recovery

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Diodai - lygintuvai - masyvai ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in GeneSiC Semiconductor S25B electronic components. S25B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S25B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : S25B

Gamintojas : GeneSiC Semiconductor

apibūdinimas : DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA

Serija : -

Dalies būsena : Active

Diodo tipas : Standard

Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 100V

Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 25A

Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 25A

Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Atbulinės eigos laikas (trr) : -

Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 50V

Talpa @ Vr, F : -

Montavimo tipas : Chassis, Stud Mount

Pakuotė / Byla : DO-203AA, DO-4, Stud

Tiekėjo įrenginio paketas : -

Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
QH08BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier