Vishay Semiconductor Diodes Division - GL34G/1

KEY Part #: K6437482

GL34G/1 Kainodara (USD) [793899vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.04916
  • 8,000 pcs$0.04892

Dalies numeris:
GL34G/1
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - RF and Diodai - tiltiniai lygintuvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL34G/1 electronic components. GL34G/1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL34G/1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL34G/1 Produkto atributai

Dalies numeris : GL34G/1
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Serija : SUPERECTIFIER®
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 400V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 500mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.2V @ 500mA
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 1.5µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 400V
Talpa @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-213AA (Glass)
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-213AA (GL34)
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM