RFUH30TS6SGC11 Kainodara (USD) [25621vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$1.76721
- 10 pcs$1.57859
- 25 pcs$1.42082
- 100 pcs$1.29460
- 250 pcs$1.10838
- 500 pcs$0.99455
- 1,000 pcs$0.83878
- 2,500 pcs$0.79684
- Dalies numeris:
- RFUH30TS6SGC11
- Gamintojas:
- Rohm Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 15A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm 30A Io Recovery Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai and Tranzistoriai - IGBT - moduliai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Rohm Semiconductor RFUH30TS6SGC11 electronic components. RFUH30TS6SGC11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFUH30TS6SGC11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFUH30TS6SGC11 Produkto atributai
Dalies numeris :
RFUH30TS6SGC11
Gamintojas :
Rohm Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 15A TO247
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
15A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
2.8V @ 30A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
35ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
TO-247-3
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-247
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
CDBDSC8650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
-
CDBDSC10650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
-
-
-
VS-CPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L
-
VS-E4PH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
Karštos dalys
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54